Отсечь магнитное поле магнита. Изолятор для магнита и экранирование магнитного поля
Приобретая и используя неодимовые магниты,Вы подтверждаете что внимательно прочли и поняли все нижеперечисленные предостережения!!!
Мы снимаем с себя всякую ответственность за ущерб,вызванный ненадлежащей эксплуатацией неодимовых магнитов.Если Вы дарите неодимовые магниты третьим лицам,то разъясните им потенциальную опасность при обращении с ними.
Правила техники безопасности
при обращении с неодимовыми магнитами.
Что можно,а что нельзя делать с неодимовыми магнитами?
Мы работаем со сверхмощными магнитами каждый день. Мы знаем, что это качественный товар. А значит - наши магниты очень мощные! И нам есть о чем Вас предупредить.Пожалуйста,прочтите внимательно эти правила и рекомендации. Это поможет Вам сохранить в целости свои магниты, свои пальцы, а возможно - жизнь и здоровье Ваших близких.
ВНИМАНИЕ!
ГЛАВНОЕ ПРЕДУПРЕЖДЕНИЕ: НЕ ДАВАЙТЕ ИХ МАЛЕНЬКИМ ДЕТЯМ!
ЭТО - НЕ ИГРУШКА!
Маленькие магниты опасны не менее чем большие. Если ребенок случайно проглотит такой магнитик - это уже беда. Во-первых, хоть все неодимовые магниты покрываются прочным защитным покрытием, существует опасность тяжелого отравления, если в результате ударов или по технологическим причинам покрытие будет нарушено. Во-вторых, если ребенок проглотит два таких магнита - они могут "слипнуться", оказавшись в соседних отрезках кишечника. А это уже грозит перитонитом (прободением стенки кишечника). О последствиях перитонита наслышан каждый цивилизованный человек. В этом случае потребуется срочная операция, а ее выполнение будет чрезвычайно затруднено тем, что магниты могут притянуться к хирургическим инструментам или притянуть их к себе.
Что же касается больших неодимовых магнитов - тем более не давайте их детям! Раздробленные кости пальцев, осколки разлетевшихся от удара магнитов, испорченные телевизоры, компьютеры, носители информации... Этот список можно продолжать долго, но достаточно лишь первого пункта. Давать их детям - все равно, что дать ребенку поиграться с бензопилой или чем-то подобным.
Итак, повторяем еще раз: супермагниты - это только для взрослых!
Теперь информация для взрослых:
ПРИ ОБРАЩЕНИИ С НЕОДИМОВЫМИ СУПЕРМАГНИТАМИ
СОБЛЮДАЙТЕ ОСТОРОЖНОСТЬ!
Эти магниты настолько сильны, что легко могут нанести вам травму!
Многие из магнитов имеют силу притяжения в десятки и даже сотни килограмм, при размерах не более кулака! Малые габариты таких магнитов создают обманчивое впечатление об их слабости. Но представьте себе, что случится, если ваши пальцы окажутся между двумя металлическими кубиками, сжимающимися с силой в 400 килограмм!? Например, деревянный карандаш превращается в тонкую "лепешку"! Также очень неприятно, если такой магнит притянется к кузову Вашего автомобиля или еще хуже - к стенке вагона проходящего мимо поезда метро.
Поэтому тщательно соблюдайте меры безопасности, особенно с крупными (более 5 сантиметров по любому габариту) неодимовыми магнитами.
Прежде чем прилепить такой магнит к массивному железному предмету - подумайте: а хватит ли Вам сил его потом оторвать?
Если нужно рассоединить такие сверхмощные неодимовые магниты - не пытайтесь их оторвать друг от друга. Вряд ли Вы сможете развить усилие больше 30 килограмм, пытаясь удержать в пальцах гладкий магнитик размером с кусочек сахара. Даже если удастся их немного развести в стороны - есть опасность, что один из них вырвется из рук и вновь мгновенно притянется к другому. При этом могут пострадать и пальцы, и сами магниты.
Наиболее безопасный способ разделить магниты - поставить их на край прочного (немагнитного) стола, так чтобы линия соединения приходилась точно по краю стола. И прилагая вертикальное усилие, сдвинуть вниз тот магнит, который выступает за край и немедленно отвести его в сторону - вниз от стола или даже бросить на пол (если пол не железный и не слишком твердый). Таким образом, удается разъединять даже магниты с силой притяжения до 100 кг. Для разъединения более мощных магнитов может даже потребоваться специальное оборудование.
Опасность воздействия сильного магнитного поля на предметы и приборы
Магнитное поле неодимового магнита распространяется гораздо дальше в пространстве, чем поле обычных магнитов, оно настолько сильно, что при неумелом обращении может вносить помехи в работу электронных приборов, на большом расстоянии нарушать работу компасов, искажать изображение на экранах телевизоров и компьютеров, моментально притягивать другие магниты и металлические предметы (в том числе - ножи, отвертки, иглы) на значительном расстоянии - будьте внимательны! Нож со стола, притянутый магнитом и пролетевший полметра по воздуху к магниту в Вашей руке - очень серьезная угроза! Особенно, если Вы стоите так, что линия полета проходит сквозь Ваше тело, например, держите в руке магнит и повернулись спиной к лежащему на столе ножу, отвертке, гвоздю и т.д.
Не ударять, не нагревать!
Также важно учитывать, что неодимовые магниты могут расколоться от сильного удара (например, если позволить им бесконтрольно притянуться друг к другу с большого расстояния).Никогда не пытайтесь подвергать неодимовые магниты механической обработке (сверление, шлифовка, точение и т.д.) в ходе которой магнит может нагреться до высокой температуры! При нагревании выше 80 градусов Цельсия, неодимовые магниты начинают необратимо терять свои магнитные свойства. А при нагревании до более высоких температур - могут воспламениться с выделением ядовитого дыма.
Биологическое воздействие сильного магнитного поля
Хотя сегодня много пишут о магнитотерапии, благотворности влияния магнитных полей на биохимические процессы в организме человека - мы хотим предостеречь от бесконтрольных экспериментов на себе и других. Последствия воздействия сверхсильного магнитного поля еще недостаточно изучены. Потому -старайтесь не находиться слишком долго вблизи особо сильных магнитов и не носите их в карманах, на теле и т.д. Магнитные браслеты, небольшие магниты для магнитотерапии - на сегодняшний день считаются безопасными. Но в любом случае - Вы пользуетесь ими на свой страх и риск.
Не пытайтесь испробовать магниты на Ваших(тем более-на чужих)мочках уха,носовых перегородках и т.п.Вы предупреждены!
Неодимовые супермощные магниты также нельзя подносить к измерительным приборам(счетчикам,механическим весам),что может привести к их неправильным показаниям или остановке.
Электростимулятор сердца
Магниты могут влиять на работу электростимуляторов сердца и имплантированных дефибрилляторов.Электростимулятор может переключиться в тестовый режим и привести к недомоганию.Возможно,дефибриллятор перестанет работать.Если Вы носите с собой или в себе такие приборы,следите за достаточным расстоянием между ними и магнитами.Предостерегайте носителей таких приборов от приближения к магнитам.
Аллергия на никель
Покрытия многих наших магнитов содержат никель.Некоторые люди при контакте с никелем испытывают аллергическую реакцию.Откажитесь от использования магнитов,еслиВас уже есть аллергия на никель
Магнитное поле
Магниты создают очень сильное магнитное поле,действующее на значительном расстоянии.В частности,они могут повредить телевизоры и переносные компьютеры,жесткие диски компьютеров,кредитные и еврочековые карты,носители информации,механические часы,слуховые аппараты и динамики.Держите магниты на значительном расстоянии от любых приборов и предметов,которые могут быть повреждены сильными магнитными полями.
Почтовая пересылка
Магнитные поля магнитов,не упакованных должным образом,могут привести к нарушениям работы сортировочной аппаратуры и повреждению содержимого других посылок.Используйте для упаковки вместительную тару и размещайте магниты в середине упаковки,заполняя пустоты материалом-наполнителем.Располагайте магниты в упаковке таким образом,чтобы магнитные поля взаимно нейтрализовали друг друга.Если это необходимо,используйте металлические листы для экранирования магнитного поля.
Принципы экранирования магнитного поля
Для экранирования магнитного поля применяются два метода:
Метод шунтирования;
Метод магнитного поля экраном.
Рассмотрим подробнее каждый из этих методов.
Метод шунтирования магнитного поля экраном.
Метод шунтирования магнитного поля экраном применяется для защиты от постоянного и медленно изменяющего переменного магнитного поля. Экраны изготавливаются из ферромагнитных материалов с большой относительной магнитной проницательностью (сталь, пермаллой). При наличии экрана линии магнитной индукции проходят в основном по его стенкам (рисунок 8.15), которые обладают малым магнитным сопротивлением по сравнению с воздушным пространством внутри экрана. Качество экранирования зависит от магнитной проницаемости экрана и сопротивления магнитопровода, т.е. чем толще экран и чем меньше швов, стыков, идущих поперек направления линий магнитной индукции, эффективность экранирования будет выше.
Метод вытеснения магнитного поля экраном.
Метод вытеснения магнитного поля экраном применяется для экранирования переменных высокочастотных магнитных полей. При этом используются экраны из немагнитных металлов. Экранирование основано на явлении индукции. Здесь явление индукции полезно.
Поставим на пути равномерного переменного магнитного поля (рисунок 8.16, а) медный цилиндр. В нем возбудятся переменные ЭД, которые, в свою очередь, создадут переменные индукционные вихревые токи (токи Фуко). Магнитное поле этих токов (рисунок 8.16,б) будет замкнутым; внутри цилиндра оно будет направлено навстречу возбуждающему полю, а за его пределами – в ту же сторону, что и возбуждающее поле. Результирующее поле (рисунок 8.16, в) оказывается ослабленным у цилиндра и усиленным вне его, т.е. происходит вытеснение поля из пространства, занимаемого цилиндром, в чем и заключается его экранирующее действие, которое будет тем эффективнее, чем меньше электрическое сопротивление цилиндра, т.е. чем больше протекающие по нему вихревые токи.
Благодаря поверхностному эффекту («скинэффекту») плотность вихревых токов и напряженность переменного магнитного поля по мере углубления в металл падает по экспоненциальному закону
, (8.5)
где (8.6)
– показатель уменьшения поля и тока, которое называется эквивалентной глубиной проникновения.
Здесь – относительная магнитная проницаемость материала;
– магнитная проницаемость вакуума, равная 1.25*10 8 гн*см -1 ;
– удельное сопротивление материала, Ом*см;
– частота, Гц.
Величиной эквивалентной глубины проникновения удобно характеризовать экранирующий эффект вихревых токов. Чем меньше х 0 , тем больше создаваемое ими магнитное поле, вытесняющее из пространства занятого экраном, внешнее поле источника наводки.
Для немагнитного материала в формуле (8.6) =1, экранирующий эффект определяется только и . А если экран сделать из ферромагнитного материала?
При равных эффект будет лучше, так как >1 (50..100) и х 0 будет меньше.
Итак, х 0 является критерием экранирующего эффекта вихревых токов. Представляет интерес оценить, во сколько раз плотность тока и напряженность магнитного поля становится меньше на глубине х 0 по сравнению, чем на поверхности. Для этого в формулу (8.5) подставим х=х 0 , тогда
откуда видно, что на глубине х 0 плотность тока и напряженность магнитного поля падают в е раз, т.е. до величины 1/2.72, составляющей 0.37 от плотности и напряженности на поверхности. Так как ослабление поля всего в 2.72 раза на глубине х 0 недостаточно для характеристики экранирующего материала , то пользуются еще двумя величинами глубины проникновения х 0,1 и х 0,01 , характеризующими падение плотности тока и напряжения поля в 10 и 100 раз от их значений на поверхности.
Выразим значения х 0,1 и х 0,01 через величину х 0 , для этого на основание выражения (8.5) составим уравнение
И ,
решив которые получим
х 0.1 =х 0 ln10=2.3x 0 ; (8.7)
х 0.01 =х 0 ln100=4.6x 0
На основании формул (8.6) и (8.7) для различных экранирующих материалов в литературе приведены значения глубин проникновения. Эти же данные, с целью наглядности, приведем и мы в виде таблицы 8.1.
Из таблицы видно, что для всех высоких частот, начиная с диапазона средних волн, экран из любого металла толщиной 0,5..1,5 мм действует весьма эффективно. При выборе толщины и материала экрана следует исходить не из электрических свойств материала, а руководствоваться соображениями механической прочности, жесткости, стойкости против коррозии, удобства стыковки отдельных деталей и осуществления между ними переходных контактов с малым сопротивлением, удобства пайки, сварки и пр.
Из данных таблицы следует, что для частот больше 10 МГЦ пленка из меди и тем более из серебра толщиной меньше 0.1 мм дает значительный экранирующий эффект . Поэтому на частотах выше 10 МГц вполне допустимо применение экранов из фольгированного гетинакса или другого изоляционного материала с нанесенным на него медным или серебряным покрытием.
Сталь можно использовать в качестве экранов, только нужно помнить, что из-за большого удельного сопротивления и явления гистерезиса экран из стали может вносить в экранирующие цепи значительные потери.
Фильтрация
Фильтрация является основным средством ослабления конструктивных помех, создаваемых в цепях питания и коммутации постоянного и переменного тока ЭС. Предназначенные для этой цели помехоподавляющие фильтры позволяют снижать кондуктивные помехи, как от внешних, так и от внутренних источников. Эффективность фильтрации определяется вносимым затуханием фильтра:
дБ,
К фильтру предъявляются следующие основные требования:
Обеспечение заданной эффективности S в требуемом частотном диапазоне (с учетом внутреннего сопротивления и нагрузки электрической цепи);
Ограничение допустимого падения постоянного или переменного напряжения на фильтре при максимальном токе нагрузки;
Обеспечение допустимых нелинейных искажений питающего напряжения, определяющих требования к линейности фильтра;
Конструктивные требования – эффективность экранирования, минимальные габаритные размеры и масса, обеспечение нормального теплового режима, стойкость к механическим и климатическим воздействиям, технологичность конструкции т.д.;
Элементы фильтра должны выбираются с учетом номинальных токов и напряжений электрической цепи, а также вызванных в них бросков напряжений и токов, вызванных нестабильностью электрического режима и переходными процессами.
Конденсаторы. Применяются как самостоятельные помехоподавляющие элементы и как параллельные звенья фильтров. Конструктивно помехоподавляющие конденсаторы делятся на:
Двухполюсные типа К50-6, К52-1Б, ЭТО, К53-1А;
Опорные типа КО, КО-Е, КДО;
Проходные некоаксиальные типа К73-21;
Проходные коаксиальные типа КТП-44, К10-44, К73-18, К53-17;
Конденсаторные блоки;
Основной характеристикой помехоподавляющего конденсатора является зависимость его импеданса от частоты. Для ослабления помех в диапазоне частот примерно до 10МГц можно использовать двухполюсные конденсаторы с учетом малой длины их выводов. Опорные помехоподавляющие конденсаторы применяются до частот 30-50 МГц. Симметричные проходные конденсаторы используются в двухпроводной цепи до частот порядка 100 МГц. Проходные конденсаторы работают в широком диапазоне частот примерно до 1000 Мгц.
Индуктивные элементы . Применяются как самостоятельные элементы подавления помех и как последовательные звенья помехоподавляющих фильтров. Конструктивно наиболее распространены дроссели специальных видов:
Витковые на ферромагнитном сердечнике;
Безвитковые.
Основной характеристикой помехоподавляющего дросселя является зависимость его импеданса от частоты. При низких частотах рекомендуется применение магнитодиэлектрических сердечников марок ПП90 и ПП250, изготовленных на основе м-пермалоя. Для подавления помех в цепях аппаратуры с токами до 3А рекомендуется использовать ВЧ- дроссели типа ДМ, при больших номинальных значениях токов – дроссели серии Д200.
Фильтры. Керамические проходные фильтры типа Б7, Б14, Б23 предназначены для подавления помех в цепях постоянного, пульсирующего и переменного токов в диапазоне частот от 10 МГц до 10ГГц. Конструкции таких фильтров представлены на рисунке 8.17
Вносимые фильтрами Б7, Б14, Б23 затухания в диапазоне частот 10..100 МГц возрастает приблизительно от 20..30 до 50..60 дБ и в диапазоне частот свыше 100 МГц превышает 50 дБ.
Керамические проходные фильтры типа Б23Б построены на основе дисковых керамических конденсаторов и безвитковых ферромагнитных дросселей (рисунок 8.18).
Безвитковые дроссели представляют собой трубчатый ферромагнитный сердечник из феррита марки 50 ВЧ-2 , одетый на проходной вывод. Индуктивность дросселя составляет 0.08…0.13 мкГн. Корпус фильтра выполнен из керамического материала УФ-61, имеющего высокую механическую прочность. Корпус металлизирован слоем серебра для обеспечения малого переходного сопротивления между наружной обкладкой конденсатора и заземляющей резьбовой втулкой, с помощью которой осуществляется крепление фильтра. Конденсатор по наружному периметру припаян к корпусу фильтра., а по внутреннему – к проходному выводу. Герметизация фильтра обеспечивается заливкой торцов корпуса компаундом.
Для фильтров Б23Б:
номинальные емкости фильтров – от 0.01 до 6.8 мкФ,
номинальное напряжение 50 и 250В,
номинальный ток до 20А,
Габаритные размеры фильтра:
L=25мм, D= 12мм
Вносимое фильтрами Б23Б затухание в диапазоне частот от 10 кГц до 10 МГц возрастает приблизительно от 30..50 до 60..70 дБ и в диапазоне частот свыше 10 МГц превышает 70 дБ.
Для бортовых ЭС перспективным является применение специальных помехоподавляющих проводов с ферронаполнителями, имеющими высокую магнитную проницаемость и большие удельные потери. Так у проводов марки ППЭ вносимое затухание в диапазоне частот 1…1000 МГц возрастает с 6 до 128 дБ/м.
Известна конструкция многоштыревых разъемов, в которых на каждый контакт устанавливается по одному П-образному помехоподавляющему фильтру.
Габаритные размеры встроенного фильтра:
длина 9.5 мм,
диаметр 3.2 мм.
Вносимое фильтром затухание в 50-омной цепи составляет 20 дБ на частоте 10МГц и до 80 дБ на частоте 100МГц.
Фильтрация цепей питания цифровых РЭС.
Импульсные помехи в шинах питания, возникающие в процессе коммутации цифровых интегральных схем (ЦИС), а также проникающие внешним путем, могут приводить к появлению сбоев в работе устройств цифровой обработки информации.
Для снижения уровня помех в шинах питания применяются схемно-конструкторские методы:
Уменьшение индуктивности шин «питание», с учетом взаимной магнитной связи прямого и обратного проводников;
Сокращение длин участков шин «питания», которые являются общими для токов для различных ЦИС;
Замедление фронтов импульсных токов в шинах «питание» с помощью помехоподавляющих конденсаторов;
Рациональная топология цепей питания на печатной плате.
Увеличение размеров поперечного сечения проводников приводит к уменьшению собственной индуктивности шин, а также снижает их активное сопротивление. Последнее особенно важно в случае шины «земля», в которая является обратным проводником для сигнальных цепей. Поэтому в многослойных печатных платах желательно выполнить шины «питание» в виде проводящих плоскостей, расположенных в соседних слоях (рисунок 8.19).
Навесные шины питания, применяемые в печатных узлах на цифровых ИС, имеют большие поперечные размеры по сравнению с шинами, выполненными в виде печатных проводников, а следовательно, и меньшую индуктивность и сопротивление. Дополнительными преимуществами навесных шин питания являются:
Упрощенная трассировка сигнальных цепей;
Повышение жесткости ПП за счет создания дополнительных ребер, выполняющих роль ограничителей, которые предохраняют ИС с навесными ЭРЭ от механических повреждений при монтаже и настройке изделия (рисунок 8.20).
Высокой технологичностью отличаются шины «питания», изготовленные печатным способом и крепящиеся на ПП вертикально (рисунок 6.12в).
Известны конструкции навесных шин, установленных под корпус ИС, которые располагаются на плате рядами (рисунок 8.22).
Рассмотренные конструкции шин «питания» обеспечивают также большую погонную емкость, что приводит к уменьшению волнового сопротивления линии «питания» и, следовательно, снижению уровня импульсных помех.
Разводка питания ИС на ПП должно осуществляться не последовательно (рисунок 8.23а), а параллельно (рисунок 8.23б)
Необходимо использовать разводку питания в виде замкнутых контуров (рис.8.23в). Такая конструкция приближается по своим электрическим параметрам к сплошным плоскостям питания. Для защиты от влияния внешнего помехонесущего магнитного поля по периметру ПП следует предусмотреть внешний замкнутый контур.
Заземление
Система заземления – это электрическая цепь, обладающая свойством сохранять минимальный потенциал, являющийся уровнем отсчета в конкретном изделии. Система заземления в ЭС должна обеспечивать сигнальные и силовые цепи возврата, защитить людей и оборудование от неисправностей в цепях источников питания, снимать статические заряды.
К системам заземления предъявляют следующие основные требования:
1) минимизация общего импеданса шины «земля»;
2) отсутствие замкнутых контуров заземления, чувствительных к воздействию магнитных полей.
В ЭС требуется как минимум три раздельные цепи заземления:
Для сигнальных цепей с низким уровнем токов и напряжений;
Для силовых цепей с высоким уровнем потребляемой мощности (источники питания, выходные каскады ЭС и т.д.)
Для корпусных цепей (шасси, панелей, экранов и металлизации).
Электрические цепи в ЭС заземляются следующим способами: в одной точке и в нескольких точках, ближайших к опорной точке заземления (рисунок 8.24)
Соответственно системы заземления могут быть названы одноточечной и многоточечной.
Наибольший уровень помех возникает в одноточечной системе заземления с общей последовательно включенной шиной «земля» (рисунок 8.24 а).
Чем дальше удалена точка заземления, тем выше её потенциал. Её не следует применять для цепей с большим разбросом потребляемой мощности, так как мощные ФУ создают большие возвратные токи заземления, которые могут влиять на малосигнальные ФУ. При необходимости наиболее критичный ФУ следует подключить как можно ближе к точке опорного заземления.
Многоточечную систему заземления (рисунок 8.24 в) следует использовать для высокочастотных схем (f≥10Мгц), подключая ФУ РЭС в точках, ближайших к опорной точке заземления.
Для чувствительных схем применяется схема с плавающим заземлением (рисунок 8.25). Такая заземляющая система требует полной изоляции схемы от корпуса (высокого сопротивления и низкой емкости), в противном случае она оказывается малоэффективной. В качестве источников питания схем могут использоваться солнечные элементы или аккумуляторы, а сигналы должны поступать и покидать схему через трансформаторы или оптроны.
Пример реализации рассмотренных принципов заземления для девятидорожечного цифрового накопителя на магнитной ленте показан на рисунке 8.26.
Здесь имеются следующие шины земли: три сигнальные, одна силовая и одна корпусная. Наиболее восприимчивые к помехам аналоговые ФУ (девять усилителей считывания) заземлены с помощью двух разделенных шин «земля». Девять усилителей записи, работающих с большими, чем усилители считывания, уровнями сигналов, а также ИС управления и схемы интерфейса с изделиями передачи данных подключены к третьей сигнальной шине «земля». Три двигателя постоянного тока и их схемы управления, реле и соленоиды соединены с силовой шиной «земля». Наиболее восприимчивая схема управления двигателем ведущего вала подключена ближе других к опорной точке заземления. Корпусная шина «земля» служит для подключения корпуса и кожуха. Сигнальная, силовая и корпусная шины «земля» соединяются вместе в одной точке в источнике вторичного электропитания. Следует отметить целесообразность составления структурных монтажных схем при проектировании РЭС.
В интернет магазине сайт продаются неодимовые магниты, сила сцепления которых раз в десять превышает ферритовые аналоги. Есть универсальные изделия, такие как диски, прямоугольники, пруты, кольца. И целевые: поисковики, крепления, держатели в машину и другие. Все товары, при относительно небольших размерах, очень мощные. Хотелось бы знать, какое поле создают эти сильные неодимовые магниты и откуда оно вообще берется?
Магнитная восприимчивость
Чтобы понять, почему такой сильный магнит неодимовый и откуда получается его магнитное поле, надо разобраться (не углубляясь в сложные формулы и графики) хотя бы с основными физическими понятиями постоянной намагниченности.
Начнем с магнитной восприимчивости. Так называется безразмерная величина (обозначается с), которая характеризует способность вещества намагничиваться после того, как оно окажется в силовом поле. (Кстати, магнитное поле неодимового магнита такое, что он сам может намагничивать изделия из других сплавов).
Намагниченность
Численно магнитная восприимчивость равна намагниченности вещества при единичной напряженности поля. Намагниченность (обозначается J) характеризует магнитное состояние конкретного физического тела. Если его поместить в силовое поле, то оно получит определенный магнитный момент М. В таком случае, его намагниченность будет равна магнитному моменту единицы объема V. Если тело намагничено однородно, то J = М/V. Намагниченность прямо пропорциональна напряженности силового поля, которое ее вызвало. На одном из этапов производства изделий NdFeB, их помещают в очень мощное силовое поле, дающее большую намагниченность. Поэтому неодимовый магнит сцепление имеет просто огромное.
Магнитный момент
Магнитный момент - это векторная характеристика вещества, являющегося источником магнитного поля. (Если, например, слиток железа внести в силовое поле и намагнитить, то он сам станет источником магнетизма). Его создают магнитные моменты элементарных частиц (атомов), которые имеют в пространстве упорядоченное ориентирование и потому суммируются. Сила неодимового магнита велика, в частности, из-за того, что у него значительный магнитный момент.
Напряженность магнитного поля
Напряженность магнитного поля - это векторная величина (обозначается Н), количественно характеризующая силовое поле магнита. В вакууме она равна магнитной индукции В. Если вещество, создающее силовое поле, окажется в какой-либо среде, у которой есть свое значение намагниченности J, то Н будет меньше В на величину J. В системе СИ, Н измеряется в ампер на метр (А/м). Напряженность поля неодимового магнита очень большая.
Магнитная индукция
Значение остаточной магнитной индукции (обозначение B r) позволяет понять, насколько плотный силовой поток или насколько сильное магнитное поле производит данный магнит в замкнутой системе. Магнитная индукция (обозначение В) - это показания гауссметра, полученные при измерении мощности силового поля на поверхности конкретного магнита. Обе величины выражаются в Тесла или Гауссах (1 Тесла = 10 000 Гаусс). Поскольку намагничивание неодимового магнита значительное, то и его магнитная индукция велика, от 1,0 до 1,4 Тл. Для сравнения, у ферритов от 0,1 до 0,4 Тл.
Объемная магнитная восприимчивость какого-либо вещества численно равна намагниченности его единичного объема, деленной на напряженность намагничивающего силового поля: с = J/Н. У парамагнетиков магнитная восприимчивость положительная, потому что направления поля молекулярных токов совпадает с направлением внешнего силового поля. (У диамагнетиков - наоборот).
Намагничивание парамагнетиков
Неодимовый магнит, сила сцепления которого так велика, это парамагнетик. У него положительная магнитная восприимчивость. В обычном состоянии он не обладает какими-либо заметными магнитными свойствами. Причина — вот в чем. У него, как и у прочих парамагнетиков, магнитные моменты скомпенсированы потому, что отсутствует упорядоченное расположение элементарных частиц. То есть, в том случае, когда внешнее намагничивающее поле отсутствует, каждый атом неодима все равно имеет какой-то свой «микроскопический» магнитный момент. Но у неодима нет такой структуры, какая присуща ферромагнетикам. Поэтому атомы ориентированы хаотично, магнитные моменты направлены в разные стороны. Векторное сложение их числовых значений дает в итоге ноль, а значит, и намагниченность всего слитка тоже равна нулю. Как же получается, что неодимовые магниты магнит сила притяжения такая большая?
Все очень просто. Когда парамагнетик попадает во внешнее магнитное поле, его атомы разворачиваются (ориентируются) в одном направлении. После чего векторное сложение единичных моментов уже не будет равным нулю. В итоге неодим получает суммарный магнитный момент J. Он прямо пропорционален напряженности внешнего поля Н и направленный по этому полю. Изготавливая неодимовый магнит, магнитное поле для его намагничивания создают с индукцией порядка 3 - 4 Тл.
Есть один важный момент, который полезно знать тем, кто интересуется свойствами NdFeB. Магнитной упорядоченности атомов противодействует тепловая энергия вещества. Не смотря на то, что магниты неодимовые усилие развивают очень большое, парамагнитная восприимчивость основного элемента Nd в значительной степени зависит от температуры. Именно поэтому сплав NdFeB нельзя нагревать до + 80 град С и выше - атомы потеряют ориентацию и векторная сумма их магнитных моментов опять станет равной нулю.
Вот так выглядит объяснение того, почему неодимовые магниты силу притяжения имеют вообще, да еще и такую большую. Два основных момента заключаются в том, что Nd - парамагнетик, и для его намагничивания создается большое силовое поле. Это, конечно, упрощенный взгляд. Чтобы понять, зачем неодимовый магнит усиленный железом и бором, надо осваивать квантовую физику.
Как сделать так, чтобы два магнита, находящиеся рядом друг с другом, не чувствовали присутствие друг друга? Какой материал нужно разместить между ними, чтобы силовые линии магнитного поля от одного магнита не достигали бы второго магнита?
Этот вопрос не такой тривиальный, как может показаться на первый взгляд. Нам нужно по настоящему изолировать два магнита. То есть, чтобы эти два магнита можно было по разному поворачивать и по разному перемещать их относительно друг друга и тем не менее, чтобы каждый из этих магнитов вёл себя так, как будто бы другого магнита рядом нет. Поэтому всякие фокусы с размещением рядом третьего магнита или ферромагнетика, для создания какой-то особой конфигурации магнитных полей с компенсацией всех магнитных полей в какой-то одной отдельно взятой точке, принципиально не проходят.
Диамагнетик???
Иногда ошибочно думают, что таким изолятором магнитного поля может служить диамагнетик . Но это не верно. Диамагнетик действительно ослабляет магнитное поле. Но он ослабляет магнитное поле только в толще самого диамагнетика, внутри диамагнетика. Из-за этого многие ошибочно думают, что если один или оба магнита замуровать в куске диамагнетика, то, якобы, их притяжение или их отталкивание ослабеет.
Но это не является решением проблемы. Во-первых, силовые линии одного магнита всё равно будут достигать другого магнита, то есть магнитное поле только уменьшается в толще диамагнетика, но не исчезает совсем. Во-вторых, если магниты замурованы в толще диамагнетика, то мы не можем их двигать и поворачивать относительно друг друга.
А если сделать из диамагнетика просто плоский экран, то этот экран будет пропускать сквозь себя магнитное поле. Причем, за этим экраном магнитное поле будет точно такое же, как если бы этого диамагнитного экрана не было бы вообще.
Это говорит о том, что даже замурованные в диамагнетик магниты не испытают на себе ослабления магнитного поля друг друга. В самом деле, ведь там, где находится замурованный магнит, прямо в объеме этого магнита диамагнетик попросту отсутствует. А раз там, где находится замурованный магнит, отсутствует диамагнетик, то значит, оба замурованных магнита на самом деле взаимодействуют друг с другом точно также, как если бы они не были замурованы в диамагнетике. Диамагнетик вокруг этих магнитов также бесполезен, как и плоский диамагнитный экран между магнитами.
Идеальный диамагнетик
Нам нужен такой материал, который бы, вообще, не пропускал через себя силовые линии магнитного поля. Нужно чтобы силовые линии магнитного поля выталкивались из такого материала. Если силовые линии магнитного поля проходят через материал, то, за экраном из такого материала, они полностью восстанавливают всю свою силу. Это следует из закона сохранения магнитного потока.
В диамагнетике ослабление внешнего магнитного поля происходит за счет наведенного внутреннего магнитного поля. Это наведенное магнитное поле создают круговые токи электронов внутри атомов. При включении внешнего магнитного поля, электроны в атомах должны начать двигаться вокруг силовых линий внешнего магнитного поля. Это наведенное круговое движение электронов в атомах и создает дополнительное магнитное поле, которое всегда направлено против внешнего магнитного поля. Поэтому суммарное магнитное поле в толще диамагнетика становится меньше, чем снаружи.
Но полной компенсации внешнего поля за счет наведенного внутреннего поля не происходит. Не хватает силы кругового тока в атомах диамагнетика, чтобы создать точно такое же магнитное поле, как внешнее магнитное поле. Поэтому в толще диамагнетика остаются силовые линии внешнего магнитного поля. Внешнее магнитное поле, как бы, "пробивает" материал диамагнетика насквозь.
Единственный материал, который выталкивает из себя силовые линии магнитного поля, это сверхпроводник. В сверхпроводнике внешнее магнитное поле наводит такие круговые токи вокруг силовых линий внешнего поля, которые создают противоположно направленное магнитное поле в точности равное внешнему магнитному полю. В этом смысле сверхпроводник является идеальным диамагнетиком.
На поверхности сверхпроводника вектор напряженности магнитного поля всегда направлен вдоль этой поверхности по касательной к поверхности сверхпроводящего тела. На поверхности сверхпроводника вектор магнитного поля не имеет составляющую, направленную перпендикулярно поверхности сверхпроводника. Поэтому силовые линии магнитного поля всегда огибают сверхпроводящее тело любой формы.
Огибание сверхпроводника линиями магнитного поля
Но это совсем не означает, что если между двумя магнитами поставить сверхпроводящий экран, то он решит поставленную задачу. Дело в том, что силовые линии магнитного поля магнита пойдут к другому магниту в обход экрана из сверхпроводника. Поэтому от плоского сверхпроводящего экрана будет только ослабление влияния магнитов друг на друга.
Это ослабление взаимодействия двух магнитов будет зависеть от того, на сколько увеличилась длина силовой линии, которая соединяет два магнита друг с другом. Чем больше длины соединяющих силовых линий, тем меньше взаимодействие двух магнитов друг с другом.
Это точно такой же эффект, как если увеличивать расстояние между магнитами без всякого сверхпроводящего экрана. Если увеличивать расстояние между магнитами, то длины силовых линий магнитного поля тоже увеличиваются.
Значит, для увеличения длин силовых линий, которые соединяют два магнита в обход сверхпроводящего экрана, нужно увеличивать размеры этого плоского экрана и по длине и по ширине. Это приведет к увеличению длин обходящих силовых линий. И чем больше размеры плоского экрана по сравнению с рассстоянием между магнитами, тем взаимодействие между магнитами становится меньше.
Взаимодействие между магнитами полностью исчезает только тогда, когда оба размера плоского сверхпроводящего экрана становятся бесконечными. Это аналог той ситуации, когда магниты развели на бесконечно большое расстояние, и поэтому длина соединяющих их силовых линий магнитного поля стала бесконечной.
Теоретически, это, конечно, полностью решает поставленную задачу. Но на практике мы не можем сделать сверхпроводящий плоский экран бесконечных размеров. Хотелось бы иметь такое решение, которое можно осуществить на практике в лаборатории или на производстве. (Про бытовые условия речи уже не идет, так как в быту невозможно сделать сверхпроводник.)
Разделение пространства сверхпроводником
По другому, плоский экран бесконечно больших размеров можно интерпретировать как разделитель всего трехмерного пространства на две части, которые не соединены друг с другом. Но пространство на две части может разделить не только плоский экран бесконечных размеров. Любая замкнутая поверхность делит пространство тоже на две части, на объем внутри замкнутой поверхности и объем вне замкнутой поверхности. Например, любая сфера делит пространство на две части: шар внутри сферы и всё, что снаружи.
Поэтому сверхпроводящая сфера является идеальным изолятором магнитного поля. Если поместить магнит в такую сверхпроводящую сферу, то никогда никакими приборами не удается обнаружить, есть ли внутри этой сферы магнит или его там нет.
И, наоборот, если Вас поместить внутрь такой сферы, то на Вас не будут действовать внешние магнитные поля. Например, магнитное поле Земли невозможно будет обнаружить внутри такой сверхпроводящей сферы никакими приборами. Внутри такой сверхпроводящей сферы можно будет обнаружить только магнитное поле от тех магнитов, которые будут находиться тоже внутри этой сферы.
Таким образом, чтобы два магнита не взаимодействовали друг с другом надо один из этих магнитов поместить во внутрь сверхпроводящей сферы, а второй оставить снаружи. Тогда магнитное поле первого магнита будет полностью сконцентрировано внутри сферы и не выйдет за пределы этой сферы. Поэтому второй магнит не почувствует привутствие первого. Точно также магнитное поле второго магнита не сможет залезть во внутрь сверхпроводящей сферы. И поэтому первый магнит не почувствует близкое присутствие второго магнита.
Наконец, оба магнита мы можем как угодно поворачивать и перемещать друг относительно друга. Правда первый магнит ограничен в своих перемещениях радиусом сверхпроводящей сферы. Но это только так кажется. На самом деле взаимодействие двух магнитов зависит только лишь от их относительного расположения и их поворотов вокруг центра тяжести соответствующего магнита. Поэтому достаточно разместить центр тяжести первого магнита в центре сферы и туда же в центр сферы поместить начало координат. Все возможные варианты расположения магнитов будут определяться только всеми возможными вариантами расположения второго магнита относительно первого магнита и их углами поворотов вокруг их центров масс.
Разумеется вместо сферы можно взять любую другую форму поверхности, например, эллипсоид или поверхность в виде коробки и т.п. Лишь бы она делила пространство на две части. То есть в этой поверхности не должно быть дырочки, через которую может пролезть силовая линия, которая соединит внутренний и внешний магниты.
Экранирование магнитных полей может быть осуществленно двумя методами:
Экранирование с помощью ферромагнитных материалов.
Экранирование с помощью вихревых токов.
Первый метод применяется обычно при экранировании постоянных МП и полей низкой частоты. Второй метод обеспечивает значительную эффективность при экранировании МП высокой частоты. Из-за поверхностного эффекта плотность вихревых токов и напряженность переменного магнитного поля по мере углубления в металл падает по экспоненциальному закону:
Показатель уменьшения поля и тока, который называют эквивалентной глубиной проникновения.
Чем меньше глубина проникновения, тем больший ток течет в поверхностных слоях экрана, тем больше создаваемое им обратное МП, вытесняющее из пространства, занятое экраном, внешнее поле источника наводки. Если экран сделан из немагнитного материала, то экранирующий эффект будет зависеть только от удельной проводимости материала и частоты экранирующего поля. Если экран сделан из ферромагнитного материала, то при прочих равных условиях внешним полем в нем будет наводиться большая э. д. с. благодаря большей концентрации магнитных силовых линий. При одинаковой удельной проводимости материала увеличатся вихревые токи, что приведет к меньшей глубине проникновения и к лучшему экранирующему эффекту.
При выборе толщины и материала экрана следует исходить не из электрических свойств материала, а руководствоваться соображениями механической прочности, веса, жесткости, стойкости против коррозии, удобства стыковки отдельных деталей и осуществления между ними переходных контактов с малым сопротивлением, удобства пайки, сварки и прочим.
Из данных таблицы видно, что для частот выше 10 МГц медная и тем более серебряная пленки толщиной около 0,1 мм дает значительный экранирующий эффект. Поэтому на частотах выше 10 МГц вполне допустимо применение экранов из фольгированого гетинакса или стеклотекстолита. На больших частотах сталь дает больший экранирующий эффект, чем немагнитные металлы. Однако стоит учитывать, что такие экраны могут вносить значительные потери в экранируемые цепи вследствие большого удельного сопротивления и явления гистерезиса. Поэтому такие экраны применимы только в тех случаях, когда с вносимыми потерями можно не считаться. Так же для большей эффективности экранирования экран должен обладать меньшим магнитным сопротивлением, чем воздух, тогда силовые линии магнитного поля стремятся пройти по стенкам экрана и в меньшем числе проникают в пространство вне экрана. Такой экран одинаково пригоден для защиты от воздействия магнитного поля и для защиты внешнего пространства от влияния магнитного поля созданного источником внутри экрана.
Существует много марок стали и пермаллоя с различными величинами магнитной проницаемости, поэтому для каждого материала нужно расчитывать величину глубины проникновения. Расчет производится по приближенному уравнению:
1) Защита от внешнего магнитного поля
Магнитные силовые линии внешнего магнитного поля (линии индукции магнитного поля помех) будут проходить в основном по толще стенок экрана, обладающего малым магнитным сопротивлением по сравнению с сопротивлением пространства внутри экрана. В результате внешнее магнитное поле помех не будет влиять на режим работы электрической цепи.
2) Экранирование собственного магнитного поля
Такое кранирование используется, если ставится задача предохранения внешних электрических цепей от воздействия магнитного поля, создаваемого током катушки. Индуктивности L, т. е. когда требуется практически локализовать помехи, создаваемые индуктивностью L, то такая задача решается при помощи магнитного экрана, как это схематически показано на рисунке. Здесь почти все силовые линии поля катушки индуктивности будут замыкаться через толщу стенок экрана, не выходя за их пределы вследствие того, что магнитное сопротивление экрана намного меньше сопротивления окружающего пространства.
3) Двойной экран
В двойном магнитном экране можно представить себе, что часть магнитных силовых линий, которые выйдут за толщу стенок одного экрана, замкнутся через толщу стенок второго экрана. Точно также можно представить себе действие двойного магнитного экрана при локализации магнитных помех, создаваемых элементом электрической цепи, находящимся внутри первого (внутреннего) экрана: основная масса магнитных силовых линий (линии магнитного рассеяния) замкнется через стенки наружного экрана. Разумеется, что в двойных экранах должны быть рационально выбраны толщины стенок и расстояние между ними.
Общий коэффициент экранирования достигает наибольшей величииы в тех случаях, когда толщина стенок и промежуток между экранами увеличивается пропорционально расстоянию от центра экрана, причем величина промежутка является средней геометрической величиной толщин стенок примыкающих к нему экранов. При этом коэффициент экранирования:
L = 20lg (H/Нэ)
Изготовление двойных экранов в соответствии с указанной рекомендацией практически затруднено из технологических соображений. Значительно целесообразнее выбрать расстояние между оболочками, прилегающими к воздушному промежутку экранов, большим, чем толщина первого экрана, приблизительно равным расстоянию между стеикой первого экрана и краем экранируемого элемента цепи (например, катушки иидуктивности). Выбор той или иной толщины стенок магнитного экрана нельзя сделать однозначным. Рациональная толщина стенок определяется. материалом экрана, частотой помехи и заданным коэффициентом экранирования. При этом полезно учитывать следующее.
1. При повышении частоты помех (частоты переменного магнитного поля помех) магнитная проницаемость материалов падает и вызывает снижение экранирующих свойств этих материалов, так как по мере снижения магнитной проницаемости возрастает сопротивление магнитному потоку, оказываемое экраном. Как правило, уменьшение магнитной проницаемости с повышением частоты идет наиболее интенсивно у тех магнитных материалов, у которых имеется наибольшая начальная магнитная проницаемость. Например, листовая электротехническая сталь с малой начальной магнитной проницаемостью мало изменяет величину jx с повышением частоты, а пермаллой, имеющий большие начальные значения магнитной проницаемости, весьма чувствителен к повышению частоты магнитного поля; магнитная проницаемость у него резко падает с частотой.
2. В магнитных материалах, подверженных действию высокочастотного магнитного поля помех, заметно проявляется поверхностный эффект, т. е. вытеснение магнитного потока к поверхности стенок экрана, вызывая увеличение магнитного сопротивления экрана. При таких условиях кажется, что почти бесполезно увеличивать толщину стенок экрана за пределы тех величин, которые заняты магнитным потоком при данной частоте. Такой вывод неправилен, ибо увеличение толщины стенок приводит к снижению магнитного сопротивления экрана даже при наличии поверхностного эффекта. При этом одновременно следует учитывать и изменение магнитной проницаемости. Так как явление поверхностного эффекта в магнитных материалах обычно начинает сказываться заметнее, чем снижение магнитной проницаемости в области низких частот, то влияние обоих факторов на выбор толщины стенок экрана будет различным на разных диапазонах частот магнитных помех. Как правило, снижение экранирующих свойств с повышением частоты помехи сильнее проявляется в экранах из материалов с высокой начальной магнитной проницаемостью. Указанные выше особенности магнитных материалов дают основание для рекомендаций по выбору материалов и толщины стенок магнитных экранов. Эти рекомендации могут быть сведены к следующим:
А) экраны из обычной электротехнической (трансформаторной) стали, обладающие малой начальной магнитной проницаемостью, можно применять при необходимости обеспечить малые коэффициенты экранирования (Кэ 10); такие экраны обеспечивают почти неизменный коэффициент экранирования в достаточно широкой полосе частот, вплоть до нескольких десятков килогерц; толщина таких экранов зависит от частоты помехи, причем чем ниже частота, тем большая толщина экрана требуется; например, при частоте магнитного поля помех 50-100 гц толщина стенок экрана должна быть приблизительно равна 2 мм; если требуется увеличение коэффициента экранирования или большая толщина экрана, то целесообразно применять несколько экранирующих слоев (двойных или тройных экранов) меньшей толщины;
Б) экраны из магнитных материалов с высокой начальной проницаемостью (например пермаллой) целесообразно применять при необходимости обеспечения большого коэффициента экранирования (Кэ > Ю) в сравнительно узкой полосе частот, причем толщину каждой оболочки магнитного экрана нецелесообразно выбирать больше 0,3-0,4 мм; экранирующее действие таких экранов начинает заметно падать на частотах, выше нескольких сот или тысяч герц, в зависимости от начальной проницаемости этих материалов.
Все сказанное выше о магнитных экранах справедливо в отношении слабых магнитных полей помех. Если же экран находится вблизи от мощных источников помех и в нем возникают магнитные потоки с большой магнитной индукцией, то, как известно, приходится учитывать изменение магнитной динамической проницаемости в зависимости от индукции; необходимо также учитывать при этом потери в толще экрана. Практически же с такими сильными источниками магнитных полей помех, при которых надо было бы считаться с их действием на экраны, не встречаются, за исключением некоторых специальных случаев, не предусматривающих радиолюбительскую практику и нормальные условия работы радиотехнических устройств широкого применения.
Тест
1. При магнитном экранировании экран должен:
1) Обладать меньшим магнитным сопротивлением, чем воздух
2) обладать равным воздуху магнитным сопротивлением
3) обладать большим магнитным сопротивлением, чем воздух
2. При экранировании магнитного поля Заземление экрана:
1) Не влияет на эффективность экранирования
2) Увеличивает эффективность магнитного экранирования
3) Уменьшает эффективность магнитног экранирования
3. На низких частотах (<100кГц) эффективность магнитного экранирования зависит от:
а) Толщины экрана, б) Магнитной проницаемости материала, в) Расстояния между экраном и другими магнитопроводами.
1) Верно только а и б
2) Верно только б и в
3) Верно только а и в
4) Все варианты верны
4. В магнитном экранировании при низких частотах используется:
1) Медь
2) Аллюминий
3) Пермаллой.
5. В магнитном экранировании при высоких частотах используется:
1) Железо
2) Пермаллой
3) Медь
6. На высоких частотах (>100кГц) эффективность магнитного экранирования не зависит от:
1) Толщины экрана
2) Магнитной проницаемости материала
3) Расстояния между экраном и другими магнитопроводами.
Использованая литература:
2. Семененко, В. А. Информационная безопасность / В. А. Семененко - Москва, 2008г.
3. Ярочкин, В. И. Информационая безопасность / В. И. Ярочкин – Москва, 2000г.
4. Демирчан, К. С. Теоретические основы электротехники III том / К. С. Демирчан С.-П, 2003г.